Новые модули Samsung спроектированы на базе 4-гигабитных DDR3-микросхем, выполненных по передовому 50-нм технологическому процессу. Разработка маломощных 4-Гбит DDR3-чипов Samsung видит как критически важное направление в стремлении увеличить операционную эффективность дата-центров при одновременном увеличении плотности памяти. Как отмечает производитель, новые модули памяти позволяют не только экономить на электроэнергии, но и использовать менее мощные (и соответственно более дешевые) блоки питания и уменьшить затраты на организацию охлаждения.

32-Гб память выполнена в виде двухсторонних модулей RDIMM, которые включают 72 4-Гбит кристалла. На каждой из сторон печатной платы смонтирован ряд из девяти четырёхкристальных упаковок (QDP, quad-die package), каждая из которых обладает емкостью 16 Гбит.

Согласно исследовательской организации IDC, в 2009 году доля DDR3 DRAM продукции на мировом рынке DRAM-микросхем достигнет 29%. В 2011 году этот показатель будет насчитывать уже 75%.